كشف تسجيل مسرب مزايا هاتف “جالاكسي إس 10” المرتقب في العام المقبل وذلك أسبوع واحد من طرح شركة سامسونغ هاتف “جالاكسي إس 9″.

وبحسب مسرب أخبار الهواتف الشهير، رونالد كوان، فإن معالج “سناب دراغون 855” سيكون عبارة عن شريحة بمعيارية 7 نانو متر، لكن شركة “كوالكوم” المصنعة لم تؤكد الأمر بعد، بشكل رسمي.

وكان موقع “بي جي آر”، قد ذكر الأربعاء، أن “سناب دراجون” الجديد، سيكون أول موديم تجري صناعته بتقنية 7 نانومتر، ويستطيع ع دعم سرعات LTE تصل إلى 2 جيجابت فى الثانية.

وجاء الموديم الجديد خلفا لشريحة Snapdragon X20 التى يجرى استخدامها من قبل معالجات Snapdragon 845 المصنعة بتقنية 10nm SoC.

وإزاء هذه التسريبات الجديدة، يترقب عشاق سامسونج سرعة إنترنت غير مسبوقة في هاتف “جالاكسي إس 10″، خلال السنة المقبلة، على اعتبار أن المعالج الثوري لن يكون جاهزا إلا في وقت متأخر من 2018.

https://youtu.be/943eZk5Ax2I